青蒿素的过氧桥键是其抗疟作用的关键部位。采用循环伏安法研究了谷胱甘肽、表面活性剂共存体系对青蒿素过氧键稳定性的影响。实验表明，当青蒿素浓度为1.0mmol/L，谷胱甘肽浓度≥2.0×10-5mol/L时，加入阳离子表面活性剂（1.0×10-5mol/L,DBDAB），在体系中形成了谷胱甘肽-青蒿素-DBDAB三元加合物，该加合物在-0.88V电位下还原，其还原峰电位比游离青蒿素的还原峰电位负移了240mV，其还原反应活化能升高了46.3KJ/moL，使青蒿素的过氧键更趋稳定；而阴离子表面活性剂对体系没有影响。进一步探讨了该三元加合物形成的电极机理。
