【发 明 者】CHAUHANANUJ；BENGANI LOKENDRAKUMAR CHAINROOM KUMAR；
【申 请 人】巴斯夫（BASF SE）
【申 请 号】EP13176102
【申 请 日】2013-07-11
【公 开 号】EP2824511
【公 开 日】2015-01-14
【摘 要】本专利涉及使用含至少三个短链全氟基团Rf的表面活性剂A来清洗用于制造半导体衬底的带图案的光掩模，所述半导体衬底图案中的最小线宽间距小于60nm。表面活性剂A重均含量为1%的水溶液表现出的静态张力小于25 mN/m，其含有的三个短链全氟基团Rf可选自三氟甲基、五氟乙基、1-七氟丙基、2-七氟丙基、五氟硫烷基。使用含表面活性剂A的掩膜清洗溶液，可提高颗粒清除效率，拓宽物理力学处理的工艺窗口，且无雾状缺陷，无水印，无临界尺寸（CD）损失。
