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分散剂对铜CMP材料去除率和表面粗糙度影响的实验研究.pdf

放大字体  缩小字体 发布日期:2008-08-15  浏览次数:455
核心提示:分散剂对铜CMP材料去除率和表面粗糙度影响的实验研究.pdf

使用5种分散剂, SiO2 水溶胶为磨料、H2O2 为氧化剂, 分别进行抛光实验。结果表明: 二乙烯三胺和吡啶2种分散剂相对较好, 二乙烯三胺(质量分数0105% ) 对铜的材料去除率达到570.20 nm /min, 表面粗糙度为Ra 1.076 0nm, 吡啶(质量分数0.75% ) 的材料去除率为373.69 nm /min, 表面粗糙度为Ra 1.577 6 nm; 二乙烯三胺提高了抛光液的碱性并增强了对铜金属的腐蚀作用是材料去除率提高的主要原因, 其多胺基的极性吸附和与胶体分子羟基的化学键作用提高了抛光液磨粒胶体表面的zeta电位, 较大的分子链有效地提高了磨料粒子间的空间排斥力, 故较好的纳米磨料粒子分散性使抛光表面粗糙度降低。

分散剂对铜CMP材料去除率和表面粗糙度影响的实验研究.pdf
 

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