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CMP过程中纳米级颗粒在芯片表面吸附状态控制.pdf

放大字体  缩小字体 发布日期:2011-07-27  浏览次数:644
核心提示:CMP过程中纳米级颗粒在芯片表面吸附状态控制.pdf
化学机械全局平面化过程中各种颗粒的污染十分严重。随着时间增长,吸附状态由物理吸附转变为化学吸附最终形成键合。文章提出了一种优先吸附模型,是表面活性剂分子优先吸附在硅片表面,降低能量达到稳定不但可以有效控制颗粒在硅片表面的吸附状态,对已经吸附的颗粒可以起到解吸的作用。实验证明用表面活性剂对硅片进行处理,可以有效控制颗粒的吸附状态,对CMP清洗有重要作用。

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