本发明提供一类适用于改进制造半导体的晶片的露出表面的浆料、以及使用这类工作浆料改进制造半导体的晶片的露出表面的方法和半导体晶片。本发明的浆料是初始组分的溶液，这些组分包括：磺化两性离子，选自：2-(N-吗啉代)乙磺酸、(3-[N-吗啉代])丙磺酸、2-[(2-氨基-2-氧乙基)氨基]乙磺酸、哌嗪-N，N′ -双(2-乙磺酸)、3-(N-吗啉代)-2-羟基丙磺酸、N，N-双(2-羟乙基)-2-氨基乙磺酸、3-(N-吗啉代)丙磺酸、N-(2-羟乙基)哌嗪-N′-(2-乙磺酸)、N-三 (羟甲基)甲基-2-氨基乙磺酸、3-[N，N-双(2-羟乙基)氨基]-2-羟基丙磺酸、 3-[N-三]羟甲基)甲氨基)-2-羟基丙磺酸、N-(2-羟乙基)哌嗪-N′-(2-羟基丙磺酸)、哌嗪-N，N′-双(2-羟基丙磺酸)、N-(2-羟乙基)哌嗪-N′-(3-丙磺酸)、N-三(羟甲基)甲基-3-氨基丙磺酸、3-[(1、1-二甲基-2-羟乙基)氨基]-2- 羟基丙磺酸、2-(N-环己基氨基)乙磺酸、3-(环己基氨基)-2-羟基-1-丙磺酸、 2-氨基-2-甲基-1-丙醇、3-(环己基氨基)-1-丙磺酸；氧化剂；任选的钝化剂；任选的螯合剂；任选的研磨颗粒；任选的表面活性剂；任选的次级缓冲剂和水。本发明的方法包括以下步骤：a)提供晶片，其中包括具有被蚀刻成图案表面的第一材料和沉积在第一材料表面上的第二材料；b)使晶片的第二材料在工作浆料存在情况下接触研磨剂；和c)相对地移动晶片和/或抛光垫，同时第二材料接触浆料和研磨颗粒，直到晶片的露出表面变平，并且包括至少一个露出的第一材料的区域和一个露出的第二材料区域。
